[发明专利]相移器

说明书

一种相移器，包含主动区、第一栅极组、第二栅极组和接触物组。主动区在第一方向上延伸且定位在第一层级。第一栅极组在第二方向上延伸，其与主动区重叠且定位在第二层级。接触物组在第二方向上延伸，其在主动区的上方并定位在第三层级，且设置在至少第二栅极组之间。

技术领域

本揭露是涉及一种相移器。

背景技术

相移器基于一些操作特性而分类。近来集成电路(integrated circuits；ICs)的微缩化趋势可产生更小的元件，且此些元件可消耗更低的功率，且可在比以前更高的速度下提供更多的功能。随着速度或频率的提升，相移电路的微缩制程亦导致更严格的设计及制造规范。

发明内容

依据本揭露的一方面，一种相移器包含主动区、第一栅极组、第二栅极组和接触物组。主动区在第一方向上延伸且位于第一层级。第一栅极组在异于第一方向的第二方向上延伸，其与主动区重叠且位于异于第一层级的第二层级，且第一栅极组中的每一栅极在第一方向上与第一栅极组中的另一栅极分离。第二栅极组在第二方向上延伸，其与主动区重叠并位于第二层级，且沿着主动区的相对边缘而设置以及配置为接收第一电压。第二栅极组为第一晶体管的一部分，第一晶体管配置为响应第一电压而调整相移器的第一电容值。接触物组在第二方向上延伸，其位于主动区上方并位于异于第一层级的第三层级，且设置在至少第二栅极组之间。

附图说明

为了更完整了解实施例及其优点，现参照结合所附图式所做的下列描述，其中：

图1为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图2A为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图2B为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图3为依据一些实施例的布局设计的示意图；

图4A和图4B为依据一些实施例的相移电路的示意图；

图5A为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图5B为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图6A为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图6B为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图7为依据一些实施例的相移电路的上视示意图；

图8A为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图8B为依据一些实施例的相移电路的电路图；

图9为依据一些实施例的相移电路的上视示意图；

图10A至图10D绘示依据一些实施例的可用于图2A、图2B的相移电路的相位差的对应示意图；

图11为依据一些实施例的形成或制造相移电路的方法的流程图；

图12为依据一些实施例的产生相移电路的布局设计的方法的流程图；

图13为依据一些实施例的用于设计及制造集成电路布局设计的系统的示意图；以及

图14为依据一些实施例的集成电路制造系统以及与集成电路制造系统相关的集成电路制造流程的方块图。

【符号说明】

100、200A、200B、400、500A、500B、600A、600B、700、800A、800B、900 相移电路

201、401 井区

202a、202b、204a、204b、602a、602b、604a、604b、802a、802b、804a、804b 晶体管