[发明专利]一种二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法

摘要

本发明所涉及的二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，包括：在软件中对二维磁性材料的简立方晶体进行模拟取其单层简立方晶体原子进行计算，以单层简立方晶体的中心原子为坐标系原点建立空间向量坐标系，并且标记每一个原子的坐标。将距离所述中心原子最近的原子进行矢量处理，得出DM作用的哈密顿量，基于公式得出基于得出对所述磁性材料中所有原子的磁化强度进行矢量求和，即可得出材料整体的磁化强度的方向。

主权项

1.一种计算单层磁性材料DM作用效应大小的计算方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在软件中模拟设定磁性材料的单层简立方晶体进行计算，以所述单层简立方晶体的中心原子为坐标系原点建立空间向量坐标系；步骤2：对所述单层简立方晶体的每个原子进行编号，并标记其坐标；步骤3：在所述单层简立方晶体中，将距离所述中心原子最近的四个原子，根据公式得出DM作用的哈密顿量H，为DM作用的参数，为原子的磁化强度记为为最近邻原子的磁化强度记为步骤4：基于所述哈密顿量H、以及公式得出DM作用有效场的大小及方向；步骤5：基于以及原子尺度的LLG方程得出原子的磁化强度大小与方向，λ为吉尔伯特阻尼系数，γ为旋磁比，t为时间；步骤6：对所述磁性材料中所有原子的磁化强度进行矢量求和，即可得出材料整体的磁化强度的方向。