[发明专利]一种二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法

权利要求书

1.一种二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在软件中模拟设定磁性材料的单层简立方晶体进行计算，以所述单层简立方晶体的中心原子为坐标系原点建立空间向量坐标系；

步骤2：对所述单层简立方晶体的每个原子进行编号，并标记其坐标；

步骤3：在所述单层简立方晶体中，将距离所述中心原子最近的四个原子，根据公式得出DM作用的哈密顿量H，为DM作用的参数，为原子的磁化强度记为为最近邻原子的磁化强度记为

步骤4：基于所述哈密顿量H、以及公式得出DM作用有效场的大小及方向；

步骤5：基于以及原子尺度的LLG方程得出原子的磁化强度大小与方向，λ为吉尔伯特阻尼系数，γ为旋磁比，t为时间；

步骤6：对所述磁性材料中所有原子的磁化强度进行矢量求和，即可得出材料整体的磁化强度的方向。

2.根据权利要求1所述的二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，其特征在于：

其中，所述磁性材料为因原子占位无序而等同于单质的磁性合金晶体或者为单质磁性晶体。

3.根据权利要求1所述的二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，其特征在于：

其中，所述磁性材料具有铁磁性以及垂直磁各向异性。

4.根据权利要求1所述的二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，其特征在于：

其中，材料整体的磁化强度值设定为1。