[发明专利]具有静电放电保护的电子电路在审
| 申请号： | 201910575517.6 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660790A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | T·贝德卡尔拉茨;L·德孔蒂;P·加利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体衬底包括具有上表面的掺杂区。掺杂区可以包括二极管的传导端子(诸如阴极)或晶体管的传导端子(诸如漏极)。在掺杂区处提供硅化物层。该硅化物层具有仅部分覆盖掺杂区的上表面的区域的区域。部分区域覆盖有助于调制集成电路器件的阈值电压和/或漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 传导端子 硅化物层 上表面 阴极 集成电路器件 二极管 区域覆盖 阈值电压 漏电流 晶体管 衬底 漏极 调制 半导体 掺杂 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：/n半导体衬底，包括具有上表面的掺杂区；以及/n硅化物层，具有仅部分覆盖所述掺杂区的所述上表面的区域的区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
