[发明专利]一种离子检测器及其制备方法

摘要

本发明属于离子检测技术领域，尤其涉及一种离子检测器，包括硅衬底(1)，依次形成在硅衬底(1)上的基础绝缘层(8)、第一复合层、第二复合层，复合层由多晶硅层(3)及其上方的绝缘层(2)构成；所述离子检测器还包括第一阳极(4‑1)、第二阳极(4‑2)、第一阴极(5‑1)、第二阴极(5‑2)、第一绝缘体(6‑1)、第二绝缘体(7‑1)、第三绝缘体(6‑2)和第四绝缘体(7‑2)；其中，第一复合层中的绝缘层(2)和/或多晶硅层(3)在远离衬底的一面的中间区域具有凹陷。本发明不仅实现离子能量检测的高分辨，也能够克服检测器在制备过程中遇到的“过蚀刻”和/或“接触不良”的技术问题。

主权项

1.一种离子检测器，其特征在于，包括硅衬底(1)，依次形成在硅衬底(1)上的基础绝缘层(8)、第一复合层、第二复合层，复合层由多晶硅层(3)及其上方的绝缘层(2)构成；所述离子检测器还包括第一阳极(4-1)、第二阳极(4-2)、第一阴极(5-1)、第二阴极(5-2)、第一绝缘体(6-1)、第二绝缘体(7-1)、第三绝缘体(6-2)和第四绝缘体(7-2)；其中，第一复合层中的绝缘层(2)和/或多晶硅层(3)在远离衬底的一面的中间区域具有凹陷，所述凹陷的深度小于所述凹陷所在的绝缘层(2)或多晶硅层(3)的厚度；第一阳极(4-1)、第一阴极(5-1)、第一绝缘体(6-1)以及第二绝缘体(7-1)分别垂直穿透第二复合层以及第一复合层，但不垂直穿透基础绝缘层(8)；第二阳极(4-2)、第二阴极(5-2)、第三绝缘体(6-2)、以及第四绝缘体(7-2)分别垂直穿透第二复合层，但不垂直穿透第一复合层的绝缘层(2)。/n