[发明专利]一种离子传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910574241.X | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110471099B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张永良;赵克凤 | 申请（专利权）人： | 上海芬创信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 蓝天知识产权代理(浙江)有限公司 33229 | 代理人： | 郭亚银 |
| 地址： | 200444 上海市宝山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于离子探测技术领域，涉及一种离子传感器，包括硅衬底，多个第一类金属电极，多个第二类金属电极，以及依次形成在该硅衬底上的基础绝缘层、多层复合层、多晶硅层；其中，复合层由多晶硅层及其上的绝缘层构成，复合层的宽度随着远离硅衬底而依次减小；多个第一类金属电极的一个电极与多晶硅层的一个侧面直接接触，多个第一金属电极的剩余电极中的每一个分别与一层复合层的一个侧面直接接触；多个第二类金属电极的一个电极与多晶硅层的另一个侧面直接接触，多个第二金属电极的剩余电极中的每一个分别与一层复合层的另一个侧面直接接触；第一类电极以及第二类电极中的每一个电极彼此用绝缘物层隔离。本发明提高离子能量探测方法的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子传感器，其特征在于，包括硅衬底(1)，多个第一类金属电极(5)，多个第二类金属电极(6)，以及依次形成在该硅衬底(1)上的基础绝缘层(2)、多层复合层、多晶硅层(7)；其中，复合层由多晶硅层(3)及其上的绝缘层(4)构成，复合层的宽度随着远离硅衬底(1)而依次减小；多个第一类金属电极(5)的一个电极与多晶硅层(7)的一个侧面直接接触，多个第一金属电极(5)的剩余电极中的每一个分别与一层复合层的一个侧面直接接触；多个第二类金属电极(6)的一个电极与多晶硅层(7)的另一个侧面直接接触，多个第二金属电极(6)的剩余电极中的每一个分别与一层复合层的另一个侧面直接接触；第一类电极(5)以及第二类电极(6)中的每一个电极彼此用绝缘物层(8)隔离。/n
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