[发明专利]薄膜沉积方法在审
| 申请号： | 201910573585.9 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660653A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李万洙;姜成圭;李殷淑;金民洙;崔丞佑 | 申请（专利权）人： | ASM知识产权私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;C23C16/513;C23C16/04 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 荷兰阿尔梅勒佛斯*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种在半导体衬底及图案结构上进行沉积薄膜的方法包括：第一操作，通过将第一循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的一部分，所述第一循环包括(a1)源气体供应操作、(b1)反应物气体供应操作及(c1)等离子体供应操作；第二操作，通过在所述第一操作之后将第二循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的其余部分，所述第二循环包括(a2)源气体供应操作、(b2)反应物气体供应操作及(c2)等离子体供应操作，其中所述源气体供应操作(a1)的供应时间比所述源气体供应操作(a2)的供应时间长。所述薄膜改善下部膜的损耗量及损耗均匀性的同时具有期望的蚀刻特性的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 源气体 薄膜 等离子体供应 反应物气体 循环重复 沉积 沉积薄膜 蚀刻特性 图案结构 均匀性 时间比 损耗量 衬底 半导体 期望 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底的图案结构上沉积薄膜的方法，所述方法包括在所述半导体衬底及所述图案结构上进行：/n第一操作，通过将第一循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的一部分，所述第一循环包括源气体供应操作(a1)、反应物气体供应操作(b1)及等离子体供应操作(c1)；以及/n第二操作，通过在所述第一操作之后将第二循环重复进行特定数目次来沉积所述薄膜的其余部分，所述第二循环包括源气体供应操作(a2)、反应物气体供应操作(b2)及等离子体供应操作(c2)，/n其中所述源气体供应操作(a1)的供应时间比所述源气体供应操作(a2)的供应时间长。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
