[发明专利]一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910570834.9 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110230029B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 任卫;张永超;朱楠楠;杨朝宁;李璐;杨炎翰;姚国光;商世广 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710121 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn |
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| 搜索关键词： | 一种 尖晶石 结构 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：采用电子束蒸发法，先以高纯金属锰粉为蒸发料在硅基片上沉积一层锰薄膜，然后以高纯金属镍粉为蒸发料在锰薄膜上沉积一层镍薄膜，再以高纯金属锰粉为蒸发料在镍薄膜上沉积一层锰薄膜，控制沉积的镍薄膜与每层锰薄膜的厚度比均为1:1.0～1.2，最后在650～950℃的空气气氛中进行退火处理，得到尖晶石结构锰镍氧化物薄膜。
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