[发明专利]用于制造半导体器件的图案形成方法和材料有效
| 申请号： | 201910568264.X | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110648904B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王建惟;张庆裕;张尚文;陈彦豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于制造半导体器件的图案形成方法和材料。在图案形成方法中，在下层上方形成底层。在底层上方形成中间层。在中间层上方形成抗蚀剂图案。通过使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对中间层进行图案化。通过使用经图案化的中间层对底层进行图案化。对下层进行图案化。中间层包含50wt％或更多的硅和有机材料。在前述和后述实施例中的一个或多个中，在形成中间层之后进一步实施退火操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 图案 形成 方法 材料 | ||
【主权项】：
1.一种图案形成方法，包括：/n在下层上方形成底层；/n在所述底层上方形成中间层；/n在所述中间层上方形成抗蚀剂图案；/n通过使用所述抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对所述中间层进行图案化；/n通过使用经图案化的中间层对所述底层进行图案化；以及/n对所述下层进行图案化，/n其中，所述中间层包含硅和有机材料，所述硅的量为50wt％或更多。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
