[发明专利]用于制造半导体器件的图案形成方法和材料

说明书

本公开涉及用于制造半导体器件的图案形成方法和材料。在图案形成方法中，在下层上方形成底层。在底层上方形成中间层。在中间层上方形成抗蚀剂图案。通过使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对中间层进行图案化。通过使用经图案化的中间层对底层进行图案化。对下层进行图案化。中间层包含50wt％或更多的硅和有机材料。在前述和后述实施例中的一个或多个中，在形成中间层之后进一步实施退火操作。

技术领域

本公开涉及用于制造半导体器件的图案形成方法和材料。

背景技术

随着半导体行业已经发展到纳米技术工艺节点，以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，来自制造和设计问题的挑战变得更大。用于形成图案的光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种图案形成方法，包括：在下层上方形成底层；在所述底层上方形成中间层；在所述中间层上方形成抗蚀剂图案；通过使用所述抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对所述中间层进行图案化；通过使用经图案化的中间层对所述底层进行图案化；以及对所述下层进行图案化，其中，所述中间层包含硅和有机材料，所述硅的量为50wt％或更多。

根据本公开的另一实施例，提供了一种图案形成方法，包括：在下层上方形成含Si层；在所述含Si层上方形成抗蚀剂图案；通过使用所述抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对所述含Si层进行图案化；以及通过使用经图案化的含Si层对所述下层进行图案化；其中，所述含Si层包含50wt％或更多量的硅、或者包含70wt％或更少量的硅，并且不是非晶硅层、多晶硅层、基于氧化硅的层或基于氮化硅的层。

根据本公开的又一实施例，提供了一种用于制造半导体器件的含硅溶液，所述含硅溶液包括：硅颗粒或硅簇；以及溶剂，其中：所述硅颗粒或所述硅簇包括50wt％或更多量的硅、或者包括80wt％或更少量的硅，并且所述硅颗粒或所述硅簇中的每一个包括被多个有机配体包围的硅芯。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开。应当注意，根据行业的标准做法，各种部件不是按比例绘制的，并且仅用于说明的目的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种部件的尺寸可能被任意增大或减小。

图1示出了根据本公开的实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图2示出了根据本公开的实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图3示出了根据本公开的实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图4示出了根据本公开的实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图5示出了根据本公开的实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图6示出了根据本公开的实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图7示出了硅颗粒或硅簇的示意图。

图8示出了根据本公开的另一实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图9示出了根据本公开的另一实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图10示出了根据本公开的另一实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图11示出了根据本公开的另一实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图12示出了根据本公开的另一实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图13示出了根据本公开的另一实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。

图14示出了根据本公开的另一实施例的半导体器件的制造操作的各个阶段之一。