[发明专利]电子元件巨量转移头及转移方法在审
| 申请号： | 201910567736.X | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110289240A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 符鞠建 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子元件巨量转移头及转移方法，涉及电子元件生产技术领域，转移头包括：记忆合金基底以及固定在记忆合金基底第一表面的多个电子元件拾取头；在相同温度下，任意相邻两个电子元件拾取头之间的中心距相等；记忆合金基底随温度的变化而发生形变，当温度升高时，记忆合金基底拉伸，任意相邻两个电子元件拾取头之间的中心距变大；当温度降低时，记忆合金基底收缩，任意相邻两个电子元件拾取头之间的中心距变小。通过调节温度，即可调节记忆合金基底上固定的电子元件拾取头之间的间距，灵活适用于不同的Micro‑LED pitch和pixel pitch，有效避免出现Micro‑LED资源浪费的情形。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆合金 电子元件拾取 基底 中心距 第一表面 基底收缩 生产技术 温度降低 形变 固定的 变小 拉伸 相等 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件巨量转移头，其特征在于，包括：记忆合金基底以及固定在所述记忆合金基底第一表面的多个电子元件拾取头；在相同温度下，任意相邻两个所述电子元件拾取头之间的中心距相等；所述记忆合金基底随温度的变化而发生形变，当温度升高时，所述记忆合金基底拉伸，任意相邻两个所述电子元件拾取头之间的中心距变大；当温度降低时，所述记忆合金基底收缩，任意相邻两个所述电子元件拾取头之间的中心距变小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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