[发明专利]电子元件巨量转移头及转移方法

说明书

本发明公开了一种电子元件巨量转移头及转移方法，涉及电子元件生产技术领域，转移头包括：记忆合金基底以及固定在记忆合金基底第一表面的多个电子元件拾取头；在相同温度下，任意相邻两个电子元件拾取头之间的中心距相等；记忆合金基底随温度的变化而发生形变，当温度升高时，记忆合金基底拉伸，任意相邻两个电子元件拾取头之间的中心距变大；当温度降低时，记忆合金基底收缩，任意相邻两个电子元件拾取头之间的中心距变小。通过调节温度，即可调节记忆合金基底上固定的电子元件拾取头之间的间距，灵活适用于不同的Micro‑LED pitch和pixel pitch，有效避免出现Micro‑LED资源浪费的情形。

技术领域

本发明涉及电子元件生产技术领域，更具体地，涉及一种电子元件巨量转移头及转移方法。

背景技术

Micro-LED是一种将LED结构微小化和矩阵化，对每一个像素点单独驱动和定址控制的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标均优于LCD和OLED技术，被视为能超越OLED及传统Micro-LED的新一代显示技术。但是，由于封装过程中极高效率，99.9999％良品率和正负0.5μm以内转移精度的需要，而Micro-LED元器件尺寸基本小于50μm且数目是几万到几百万个，因此载Micro-LED产业化过程中仍需克服的一个核心技术难题就是Micro-LED元器件的巨量转移技术。

现有技术中，Micro-LED在生长基底上生长完成后，将切割成周期性排布的多个Micro-LED元件，Micro-LED之前的间距(即Micro-LED pitch)是固定的，然后将整面Micro-LED元件批量转移到转运基板上，最后利用拾取头将转运基板上的Micro-LED元件转移到阵列基板上，从而实现了向阵列基板转移Micro-LED的过程。通常，一个拾取头对应拾取一个Micro-LED，拾取头的pitch(即相邻两个拾取头之间的间距)是固定的，且拾取头的pitch与显示面板上显示像素的pixel pitch保持一致，但是生长基底和转运基板上的Micro-LEDpitch与显示像素的pixel pitch是不同的，通常Micro-LED pitch＝pixel pitch/n(n为大于1的整数)，因此拾取头在拾取转运基板上的Micro-LED时，只能拾取到转运基板上的部分Micro-LED，剩余部分的Micro-LED将被浪费，因而会造成LED资源的浪费。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种电子元件巨量转移头及转移方法，通过调节温度，即可调节记忆合金基底上固定的电子元件拾取头之间的间距，灵活适用于不同的Micro-LEDpitch和pixel pitch，有效避免出现Micro-LED资源浪费的情形。

第一方面，本申请提供一种电子元件巨量转移头，包括：记忆合金基底以及固定在所述记忆合金基底第一表面的多个电子元件拾取头；在相同温度下，任意相邻两个所述电子元件拾取头之间的中心距相等；

所述记忆合金基底随温度的变化而发生形变，当温度升高时，所述记忆合金基底拉伸，任意相邻两个所述电子元件拾取头之间的中心距变大；当温度降低时，所述记忆合金基底收缩，任意相邻两个所述电子元件拾取头之间的中心距变小。

第二方面，本申请提供一种基于上述电子元件巨量转移头的电子元件巨量转移方法，包括：

在常温的初始状态下缓慢升高温度，使得电子元件巨量转移头中的记忆合金基底拉伸，并将温度控制在T1，使得任意相邻两个电子元件拾取头之间的中心距D1与位于转运基板上的任意相邻两个电子元件的之间的中心距D0相等；

保持温度T1，将所述电子元件巨量转移头移动至所述转运基板朝向所述电子元件的一侧，使得所述电子元件拾取头和所述电子元件位于所述记忆合金基底与所述转运基板之间，并使得所述电子元件转移头位于所述电子元件的正上方；