[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910567323.1 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110289259B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 许锋;李达;靳磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种3D存储器件的制造方法，包括：在衬底上形成叠层结构，其中，所述第一叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个牺牲层；形成贯穿所述第一叠层结构的多个沟道柱；采用多个栅极导体层置换所述多个牺牲层，形成叠层结构；其中，所述多个沟道柱与所述多个栅极导体层中的多个第一栅极导体层形成多个存储晶体管，与所述多个栅极导体层中的第二栅极导体层和第三栅极导体层分别形成第一选择晶体管和第二选择晶体管；多个第一栅极导体层之间的层间绝缘层沿垂直衬底表面方向的厚度是变化的。本发明实施例可以平衡不同层存储单元由于沟道柱孔径大小不同造成的擦除速度差异，进而提高3D存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件的制造方法，包括：在衬底上形成叠层结构，其中，所述第一叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个牺牲层；形成贯穿所述第一叠层结构的多个沟道柱；采用多个栅极导体层置换所述多个牺牲层，形成叠层结构；其中，所述多个沟道柱与所述多个栅极导体层中的多个第一栅极导体层形成多个存储晶体管，与所述多个栅极导体层中的第二栅极导体层和第三栅极导体层分别形成第一选择晶体管和第二选择晶体管；多个第一栅极导体层之间的层间绝缘层沿垂直衬底表面方向的厚度是变化的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910567323.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构
- 下一篇：闪存的制造方法、闪存储器及光罩掩膜版
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
