[发明专利]一种光刻检查图形结构及光刻检查方法有效
| 申请号： | 201910565494.0 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN112147856B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 夏得阳 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻检查图形结构及光刻检查方法，所述结构至少包括对位游标图形，所述对位游标图形至少包括第一层次对位图形和第二层次对位图形，其中所述第一、第二层次对位图形分别包括相同数量的依次排列的刻度图案，然而所述第二层次对位图形的依次排列的所述刻度图案的间距自一侧至相对一侧的方向上先增加后减小，以提高光刻检查图形结构的对位偏差的测量范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 检查 图形 结构 方法 | ||
【主权项】：
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