[发明专利]一种光刻检查图形结构及光刻检查方法有效

专利信息
申请号: 201910565494.0 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN112147856B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 夏得阳 申请(专利权)人: 芯恩(青岛)集成电路有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;H01L21/027
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 266555 山东省青岛市黄岛区*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 光刻 检查 图形 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻检查图形结构,其特征在于,所述结构至少包括对位游标图形,所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形;

所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记,所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案,每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同,其中N=2n+1,其中n为正整数;

所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记,所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案;

且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距;自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距;或

自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加;自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。

2.根据权利要求1所述的光刻检查图形结构,其特征在于所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。

3.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于,所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。

4.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于,所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。

5.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于,每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。

6.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于,每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。

7.根据权利要求5所述的光刻检查图形结构,其特征在于,每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。

8.一种光刻检查图形结构,其特征在于,所述结构至少包括对位游标图形,所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形;

所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记,所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案,每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同,其中N=2n,其中n为正整数;

所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记,所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案;

且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距;自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距;或

自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加;自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n个所述第二刻度图案,每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。

9.根据权利要求8所述的光刻检查图形结构,其特征在于所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。

10.根据权利要求9所述的光刻检查图形结构,其特征在于,所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。

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