[发明专利]半导体晶片的加工方法

摘要

提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。

主权项

1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，/n该半导体晶片的加工方法具有如下的步骤：/n器件形成步骤，形成多个半导体器件和分割预定线，该半导体器件具有功能层，该功能层包含布线层和位于该布线层的上方的金属电极并且该功能层形成在半导体晶片的正面上，该分割预定线位于该功能层上并且对多个该半导体器件进行划分；/n保护层包覆步骤，利用绝缘性的保护层包覆该功能层的正面，形成器件晶片；/n激光加工槽形成步骤，沿着该分割预定线照射对于该功能层和该半导体晶片具有吸收性的波长的激光束，将该半导体晶片、该保护层以及该功能层部分地去除而使该半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；/n掩模层形成步骤，利用掩模层将残留在该激光加工槽以外的该保护层中的除了该金属电极上的区域以外的区域覆盖；/n第1蚀刻步骤，隔着该掩模层而对该保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使该金属电极露出；/n第2蚀刻步骤，隔着第1蚀刻步骤后的该掩模层而对该激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，将从该掩模层露出的该功能层和该半导体晶片的一部分去除而使该激光加工槽在宽度方向和深度方向上扩展；以及/n分割步骤，沿着通过该第2蚀刻步骤而进行了扩展的该激光加工槽将该半导体晶片分割成器件芯片。/n