[发明专利]半导体晶片的加工方法

说明书

提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。

技术领域

本发明涉及半导体晶片的加工方法，将半导体晶片沿着对多个半导体器件进行划分的分割预定线分割。

背景技术

通常半导体器件具有半导体晶片和形成于半导体晶片的正面上的功能层。该功能层包含：布线层；设置于布线层上的金属电极；以及在上下方向上分别夹着布线层和金属电极的层间绝缘膜。

近年来，使用低介电常数材料(所谓的Low-k材料)作为该层间绝缘膜的材料。通过使用Low-k材料，能够使半导体器件的处理速度高速化。

但是，Low-k材料是多孔质性材料，因此例如与硅的热氧化膜(SiO₂)相比强度较低。因此，例如在使用切削刀具对半导体晶片进行切削而进行分割时，存在Low-k材料剥离的问题。

因此，存在如下的技术：代替使用切削刀具而进行的切削，通过激光烧蚀技术将包含Low-k材料的功能层部分地去除而形成激光加工槽，利用切削刀具对该激光加工槽的内侧进行切削而进行分割(例如参照专利文献1)。通过采用该技术，在半导体晶片的分割时，能够克服Low-k材料剥离的问题。

但是，由于当形成激光加工槽时所产生的热而在激光加工槽的周边的Low-k材料中形成有变质层，并且在激光加工槽的底部形成有具有μm级的裂纹的应变层。

变质层和应变层有可能给半导体器件的动作等带来不良影响，也有可能降低对半导体晶片进行分割而形成的器件芯片的抗弯强度。因此，期望将变质层和应变层从半导体晶片去除。

专利文献1：日本特开2009-21476号公报

通常，在使功能层所含的金属电极从层间绝缘膜露出的工序之后、或者形成与从层间绝缘膜露出的金属电极电连接的电极凸块等的工序之后，在功能层中形成激光加工槽。接着，为了对半导体晶片进行分割，利用切削刀具来切削位于激光加工槽的内侧的半导体晶片从而将半导体晶片分割。

在该情况下，考虑在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前利用例如等离子蚀刻将变质层和应变层去除。但是，需要追加设置对不利用等离子蚀刻去除的区域进行包覆的掩模层(例如光致抗蚀层)的工序，因此产生追加的成本。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前不追加掩模层形成工序而将变质层和应变层去除。