[发明专利]一种NiO纳米网格的制备方法

摘要

本发明涉及一种NiO纳米网格的制备方法，包括以下步骤：S1)、利用醋酸镍或者氯化镍和六甲基次胺配制均匀的澄清生长溶液；S2)、清洗衬底，并采用气枪吹干；S3)、在衬底上生长NiO纳米网格，该NiO纳米网格由连续的NiO纳米片组成，NiO纳米片厚度在10‑30nm。本发明制备设备成熟，配方简单，无需微波辅助即可制备NiO纳米网格，有利益降低生产成本。本发明制备NiO纳米网格分散性较好，有利益增大纳米材料的比表面积。本发明制备NiO纳米网格在光催化降解、气敏传感、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。

主权项

1.一种NiO纳米网格的制备方法，包括以下步骤：S1)、生长溶液的制备，将1.0‑2.5g醋酸镍或者氯化镍和0.15‑0.4g六甲基次胺加入10‑50mL的去离子水中，并按去离子水：乙二醇＝1:0.2‑1:0.8的比例加入乙二醇，然后在室温—80℃下采用磁力搅拌30‑60min，配制成均匀的澄清生长溶液；S2)、清洗衬底，采用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗衬底5‑8次，并采用气枪吹干；S3)、NiO纳米网格的生长，将生长溶液和清洗干净的衬底放入高压釜中，密封后放入烘箱中，在90‑120℃保温5‑180min，然后自然冷却至室温，即可在衬底上获得均匀分布的NiO纳米网格。