[发明专利]一种NiO纳米网格的制备方法

说明书

本发明涉及一种NiO纳米网格的制备方法，包括以下步骤：S1)、利用醋酸镍或者氯化镍和六甲基次胺配制均匀的澄清生长溶液；S2)、清洗衬底，并采用气枪吹干；S3)、在衬底上生长NiO纳米网格，该NiO纳米网格由连续的NiO纳米片组成，NiO纳米片厚度在10‑30nm。本发明制备设备成熟，配方简单，无需微波辅助即可制备NiO纳米网格，有利益降低生产成本。本发明制备NiO纳米网格分散性较好，有利益增大纳米材料的比表面积。本发明制备NiO纳米网格在光催化降解、气敏传感、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及那么材料技术领域，尤其是一种NiO纳米网格的制备方法。

背景技术

氧化镍(NiO)具有化学性质稳定、光催化和光电性能优异、无毒等众多优点，因此受到了研究人员的广泛关注。目前，NiO纳米片是当前研究的一个重点。特别是NiO纳米片的量子尺寸效应、表面局域增强效应、纳米尺寸效应等特殊性能，引起了科研工作者的极大兴趣。已有研究表明，NiO纳米片在光催化降解有机污染物、气敏传感、生物传感器等领域展现出了极为优异的性能，具有广阔的应用前景。

目前，制备NiO纳米片的方法较多，主要是水热法。水热法工艺相对简单、成本低廉，因而得到了广泛的应用。然而，目前水热法制备NiO纳米片的配方较为复杂，生长温度相对较高，且部分水热法的生长周期较长(超过4个小时)或者微波辅助。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种NiO纳米网格的制备方法，本发明具有制备简单、分散性好的优点。

本发明的技术方案为：一种NiO纳米网格的制备方法，包括以下步骤：

S1)、生长溶液的制备，将1.0-2.5g醋酸镍或者氯化镍和0.15-0.4g六甲基次胺加入10-50mL的去离子水中，并按去离子水：乙二醇＝1:0.2-1:0.8的比例加入乙二醇，然后在室温—80℃下采用磁力搅拌30-60min，配制成均匀的澄清生长溶液；

S2)、清洗衬底，采用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗衬底5-8次，并采用气枪吹干；

S3)、NiO纳米网格的生长，将生长溶液和清洗干净的衬底放入高压釜中，密封后放入烘箱中，在90-120℃保温5-180min，然后自然冷却至室温，即可在衬底上获得均匀分布的NiO纳米网格。

进一步的，步骤S2)中，所述的衬底为2*2cm-4英寸的玻璃、ITO玻璃、Si、蓝宝石、金属基板中的一种。

进一步的，步骤S3)中，所述NiO纳米网格的尺寸为100-800nm。

进一步的，步骤S3)中，所述的NiO纳米网格由连续的NiO纳米片组成，NiO纳米片厚度在10-30nm。

本发明制备的NiO纳米网格主要用于光催化降解、光电探测器、气敏探测器和太阳能电池。

本发明的有益效果为：

1、制备设备成熟，配方简单，无需微波辅助即可制备NiO纳米网格，有利益降低生产成本。

2、本发明制备NiO纳米网格分散性较好，有利益增大纳米材料的比表面积。

3、本发明制备NiO纳米网格在光催化降解、气敏传感、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。

附图说明

图1为本发明的实施例1制备的NiO纳米网格的低倍扫描电子显微镜(SEM)图；

图2为本发明实施例1制备的NiO纳米网格的高倍扫描电子显微镜(SEM)图；

图3为基于本发明的实施例1制备的NiO纳米网格的传感器的结构示意图。

具体实施方式