[发明专利]准分子激光退火装置、多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910556540.0 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110265289B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00;B23K26/067 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种准分子激光退火装置、多晶硅薄膜的制备方法，涉及显示技术领域，可提高多晶硅的结晶效果。一种准分子激光退火装置，包括：激光器和脉冲延长模块；所述脉冲延长模块包括第一分光部件和传输组件；所述激光器用于发射激光束；所述第一分光部件用于接收来自所述激光器的激光束，将接收的来自所述激光器的激光束分为第一出射光和第一反射光，并将所述第一反射光射向所述传输组件，将所述第一出射光出射；所述传输组件用于接收所述第一反射光，并经所述传输组件传输后，经所述第一分光部件出射；其中，所述第一反射光的激光能量占所述第一分光部件接收的激光束的激光能量的20％～40％。 | ||
| 搜索关键词： | 准分子激光 退火 装置 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种准分子激光退火装置，其特征在于，包括：激光器和脉冲延长模块；所述脉冲延长模块包括第一分光部件和传输组件；所述激光器用于发射激光束；所述第一分光部件用于接收来自所述激光器的激光束，将接收的来自所述激光器的激光束分为第一出射光和第一反射光，并将所述第一反射光射向所述传输组件，将所述第一出射光出射；所述传输组件用于接收所述第一反射光，并经所述传输组件传输后，经所述第一分光部件出射；其中，所述第一反射光的激光能量占所述第一分光部件接收的激光束的激光能量的20％～40％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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