[发明专利]准分子激光退火装置、多晶硅薄膜的制备方法有效
申请号: | 201910556540.0 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110265289B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 田雪雁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00;B23K26/067 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 准分子激光 退火 装置 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
本发明实施例提供一种准分子激光退火装置、多晶硅薄膜的制备方法,涉及显示技术领域,可提高多晶硅的结晶效果。一种准分子激光退火装置,包括:激光器和脉冲延长模块;所述脉冲延长模块包括第一分光部件和传输组件;所述激光器用于发射激光束;所述第一分光部件用于接收来自所述激光器的激光束,将接收的来自所述激光器的激光束分为第一出射光和第一反射光,并将所述第一反射光射向所述传输组件,将所述第一出射光出射;所述传输组件用于接收所述第一反射光,并经所述传输组件传输后,经所述第一分光部件出射;其中,所述第一反射光的激光能量占所述第一分光部件接收的激光束的激光能量的20%~40%。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种准分子激光退火装置、多晶硅薄膜的制备方法。
背景技术
目前,多晶硅薄膜的制作方法主要包括:准分子激光退火(Excimer LaserAnnealing,简称ELA)、固相晶化(Solid Phase Crystallization,简称SPC)、金属诱导晶化(Metal Induced Crystallization,简称MIC)等等。其中,准分子激光退火工艺是一种相对比较复杂的退火过程。对于多晶硅薄膜中,薄膜表面平坦性,晶粒尺寸及晶粒均匀性的控制一直是该技术领域中的研究热点。
发明内容
本发明的实施例提供一种准分子激光退火装置、多晶硅薄膜的制备方法,可提高多晶硅的结晶效果。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种准分子激光退火装置,包括:激光器和脉冲延长模块;所述脉冲延长模块包括第一分光部件和传输组件;所述激光器用于发射激光束;所述第一分光部件用于接收来自所述激光器的激光束,将接收的来自所述激光器的激光束分为第一出射光和第一反射光,并将所述第一反射光射向所述传输组件,将所述第一出射光出射;所述传输组件用于接收所述第一反射光,并经所述传输组件传输后,经所述第一分光部件出射;其中,所述第一反射光的激光能量占所述第一分光部件接收的激光束的激光能量的20%~40%。
可选的,所述脉冲延长模块还包括第二分光部件、驱动部件和控制器;所述第二分光部件用于接收来自所述激光器的激光束,将接收的来自所述激光器的激光束分为第二出射光和第二反射光,并将所述第二反射光射向所述传输组件,将所述第二出射光出射;所述传输组件用于接收所述第二反射光,并经所述传输组件传输后,经所述第二分光部件出射;其中,所述第二反射光的激光能量占所述第二分光部件接收的激光束的激光能量的40%~60%;所述驱动部件与所述第一分光部件和所述第二分光部件相连;所述控制器用于控制所述驱动部件将所述第一分光部件和所述第二分光部件的其中一个移动至激光束的光路上,另一个移动至偏离激光束的光路的位置。
可选的,所述第一分光部件的分光系数为30%,所述第二分光部件的分光系数为50%。
可选的,所述脉冲延长模块还包括调光部件,设置于所述脉冲延长模块靠近所述激光器的出光侧;所述调光部件用于对所述激光器发射的激光束的激光能量进行调节,使所述调光部件出射的激光束的激光能量小于所述激光器发射的激光束的激光能量;其中,位于激光束的光路上的所述第一分光部件或第二分光部件接收的来自所述激光器的激光束为所述调光部件输出的激光束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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