[发明专利]氮化镓基激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910552033.X | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112134143B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 梁锋;赵德刚;杨静;朱建军;刘宗顺;陈平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法，其中，该激光器包括：在氮化镓衬底上依次生长的n型限制层、复合下波导层、量子阱有源区层、上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层和p型欧姆接触层；以及P电极，制作于所述p型欧姆接触层上；N电极，制作与氮化镓衬底相接触；其中，复合下波导层包括多层铟镓氮层，该各层铟镓氮层之间的铟组分含量不同。本发明提供的该氮化镓基激光器及其制备方法，可以降低光学损耗，提高输出光功率、降低阈值电流。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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