[发明专利]氮化镓基激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓基激光器，其特征在于，所述氮化镓基激光器为氮化镓基紫光激光器，包括：

复合下波导层，所述复合下波导层包括6层铟镓氮层，各层铟镓氮层之间的铟组分含量不同，各层铟镓氮材料中铟组分分别为0、0.02、0.04、0.06，0.08、0.1；

在氮化镓衬底上依次生长的n型限制层，所述复合下波导层、量子阱有源区层、上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层和p型欧姆接触层；

P电极，制作于所述p型欧姆接触层上；以及，

N电极，与所述氮化镓衬底相接触；

所述复合下波导层中，各层铟镓氮材料的厚度介于5nm至100nm之间，所述复合下波导层的总厚度为50nm-150nm；

所述n型限制层的材料为n型铝镓氮材料，厚度为0.6μm-3μm，铝组分为0.01-0.15；

所述量子阱有源区层的量子阱个数为1-5个，量子阱的材料为氮化镓材料或铟镓氮材料，量子阱厚度为1nm-10nm，量子垒材料为氮化镓材料或铟镓氮材料，量子垒的厚度为1nm-20nm。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器，其特征在于，所述上波导层材料为氮化镓或铟镓氮材料，铟组分为0-0.05，厚度为50nm-500nm。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器，其特征在于，所述p型电子阻挡层的材料为铝镓氮材料，厚度为1nm-50nm，铝组分为0.1-0.3。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器，其特征在于，所述p型限制层的材料为p型铝镓氮材料，厚度为0.4μm-1μm，铝组分为0.01-0.15。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基激光器，其特征在于，所述p型欧姆接触层的材料为p型氮化镓材料，厚度为10nm-50nm。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的氮化镓基激光器的制备方法，其特征在于，包括：

在氮化镓衬底的一面上依次生长n型限制层、复合下波导层、量子阱有源区层、上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层和p型欧姆接触层；

将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和上波导层刻蚀成脊型；

在脊型上生长一层绝缘膜，在该绝缘膜上采用光刻的方法制作p电极；

将氮化镓衬底减薄、清洗，在其另一面制作n电极。