[发明专利]堆叠式基于薄膜晶体管的嵌入式动态随机存取存储器

摘要

本文描述的是使用TFT作为选择器晶体管的嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)单元的阵列。在将至少一些选择器晶体管实施为TFT时，可以在衬底上方的不同层中提供不同eDRAM单元，从而实现堆叠架构。示例性堆叠式基于TFT的eDRAM包括提供于衬底之上的第一层中的一个或多个存储器单元以及提供于所述第一层之上的第二层中的一个或多个存储器单元，其中，至少所述第二层中的存储器单元、但优选所述第一层和所述第二层两者中的存储器单元使用TFT作为选择器晶体管。堆叠式基于TFT的eDRAM允许增大具有给定占有面积的存储器阵列中的存储器单元的密度，或者相反，减小具有给定存储器单元密度的存储器阵列的占有面积。

主权项

1.一种集成电路(IC)器件，包括：/n在衬底之上的第一层中的第一存储器单元；以及/n在所述衬底之上的第二层中的第二存储器单元，其中，所述第一层在所述衬底和所述第二层之间，/n其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每者包括薄膜晶体管(TFT)。/n