[发明专利]碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法在审
申请号: | 201910547459.6 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN110299287A | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 黄健;杨帆;别佳瑛;邹天宇;王同营;马云诚;陈卓睿;黄浩斐;唐可;王林军 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L21/463 | 分类号: | H01L21/463;H01L21/465;H01L31/18 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法,所述CdZnTe薄膜表面进行机械抛光和化学抛光,即依次进行使用Al2O3抛光粉的物理机械抛光和使用溴甲醇溶液的化学腐蚀抛光。相比于未经表面处理的CdZnTe薄膜,本发明所采用的表面处理得到的CdZnTe薄膜表面缺陷和杂质更少,表面粗糙度更小,薄膜表面质量更好。本发明制备的薄膜材料对于射线探测、辐射探测、天体物理、国防安保以及医疗检测等方面具有重要意义和应用前景。 | ||
搜索关键词: | 表面抛光工艺 抛光 碲锌镉 薄膜 表面粗糙度 薄膜表面 薄膜材料 表面缺陷 辐射探测 化学腐蚀 化学抛光 机械抛光 甲醇溶液 射线探测 天体物理 物理机械 医疗检测 重要意义 抛光粉 安保 制备 国防 应用 | ||
【主权项】:
1.一种碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法,其特征在于,所述CdZnTe薄膜进行表面处理,依次使用了Al2O3抛光粉进行物理机械抛光和溴甲醇溶液进行化学腐蚀抛光,包括如下步骤:(1)CdZnTe薄膜机械抛光过程:采用物理机械抛光方法,在备用的CdZnTe薄膜表面进行表面处理,采用Al2O3粉末材料为抛光粉,材料纯度为99~99.99999%,控制Al2O3抛光粉的粒径为1~1000nm;控制抛光时间为0.5~5h;控制转盘转速为10~200rad/min,得到经过物理机械抛光处理的CdZnTe薄膜;(2)CdZnTe薄膜化学抛光过程:采用化学腐蚀抛光方法,在所述步骤(1)中制备的CdZnTe薄膜表面进行表面处理;选取溴甲醇溶液为抛光液;控制溴甲醇溶液的浓度为1~50%;控制腐蚀时间为0.5~15min,得到碲锌镉薄膜成品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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