[发明专利]碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法在审
| 申请号: | 201910547459.6 | 申请日: | 2019-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN110299287A | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
| 发明(设计)人: | 黄健;杨帆;别佳瑛;邹天宇;王同营;马云诚;陈卓睿;黄浩斐;唐可;王林军 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
| 主分类号: | H01L21/463 | 分类号: | H01L21/463;H01L21/465;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
| 地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面抛光工艺 抛光 碲锌镉 薄膜 表面粗糙度 薄膜表面 薄膜材料 表面缺陷 辐射探测 化学腐蚀 化学抛光 机械抛光 甲醇溶液 射线探测 天体物理 物理机械 医疗检测 重要意义 抛光粉 安保 制备 国防 应用 | ||
1.一种碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法,其特征在于,所述CdZnTe薄膜进行表面处理,依次使用了Al2O3抛光粉进行物理机械抛光和溴甲醇溶液进行化学腐蚀抛光,包括如下步骤:
(1)CdZnTe薄膜机械抛光过程:
采用物理机械抛光方法,在备用的CdZnTe薄膜表面进行表面处理,采用Al2O3粉末材料为抛光粉,材料纯度为99~99.99999%,控制Al2O3抛光粉的粒径为1~1000nm;控制抛光时间为0.5~5h;控制转盘转速为10~200rad/min,得到经过物理机械抛光处理的CdZnTe薄膜;
(2)CdZnTe薄膜化学抛光过程:
采用化学腐蚀抛光方法,在所述步骤(1)中制备的CdZnTe薄膜表面进行表面处理;选取溴甲醇溶液为抛光液;控制溴甲醇溶液的浓度为1~50%;控制腐蚀时间为0.5~15min,得到碲锌镉薄膜成品。
2.根据权利要求1所述碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法,其特征在于:在所述步骤(1)中,所述碲锌镉薄膜采用如下生长过程制备:
a.选取FTO导电玻璃衬底,厚度不低于2mm,将衬底依次在丙酮、甲醇、乙醇和去离子水中分别超声清洗至少15分钟后,然后用高纯氮气吹干,得到洁净干燥的FTO衬底,备用;
b.采用近空间升华方法,在所述步骤a中得到的洁净干燥的FTO衬底上生长一层CdZnTe薄膜,选取多晶CdZnTe材料为升华源,材料纯度为99~99.99999%,控制生长环境的真空度为2-3Pa;控制衬底加热温度为不低于400℃,升华源加热温度不低于600℃;控制衬底与升华源之间的距离不超过4mm;控制生长时间至少为3h;制备过程结束后,待所制备的CdZnTe薄膜自然冷却至室温,取出CdZnTe薄膜,即得到备用的CdZnTe薄膜。
3.根据权利要求1所述碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法,其特征在于:在所述步骤(1)中,控制转盘转速为80~200rad/min,控制Al2O3抛光粉的粒径为50~250nm;控制抛光时间为1~5h。
4.根据权利要求1所述碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法,其特征在于:在所述步骤(1)所述CdZnTe薄膜采用多晶CdZnTe薄膜。
5.根据权利要求1所述碲锌镉薄膜的表面抛光工艺方法,其特征在于:在所述步骤(2)采用化学腐蚀抛光方法,控制溴甲醇溶液的浓度为2~50%;控制腐蚀时间为3~5min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910547459.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:外延鳍状结构的制作方法
- 下一篇:光学传感器封装系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





