[发明专利]基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构有效
| 申请号： | 201910546165.1 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110265876B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张志珂;韩雪妍;赵泽平;郭锦锦;刘建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/02335;H01S5/0232 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括一多功能低温共烧陶瓷基板(3)、一背光探测器芯片阵列(2)和一激光器芯片阵列(1)。其中多功能低温共烧陶瓷基板(3)从下至上至少包括：用于传输高频信号的高频功能层(32)和用于传输直流信号的直流功能层(31)；背光探测器芯片阵列(2)包括N个背光探测器芯片；激光器芯片阵列(1)包括N个激光器芯片。本发明提出的基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，通过低温共烧陶瓷技术将多个功能层叠压成一体形成功能低温共烧陶瓷基板，并通过过孔结构在基板内部形成三维电路图，实现信号的传输，具有可靠性高、集成度高、体积小等特点，适用于大规模高密度阵列芯片的集成封装。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 低温 陶瓷 光电 集成 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括：一多功能低温共烧陶瓷基板(3)，包括：一高频功能层(32)，为共面波导结构，用于传输高频信号；以及一直流功能层(31)，为微带线结构，用于传输直流信号，形成于所述高频功能层(32)之上，设有完全贯穿所述直流功能层(31)的N个卡槽结构(3161～316N)，其中N为自然数；一背光探测器芯片阵列(2)，包括N个背光探测器芯片，所述N个背光探测器芯片固定于所述N个卡槽结构(3161～316N)中；以及一激光器芯片阵列(1)，包括N个激光器芯片，所述N个激光器芯片固定于所述N个卡槽结构(3161～316N)中，与所述背光探测器芯片并排设置，且所述背光探测器芯片与所述激光器芯片间距不大于0.5mm；相对于出光方向<0>，同一卡槽结构中的所述背光探测器芯片与所述激光器芯片的波导处于同一中心线。
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