[发明专利]基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构

权利要求书

1.一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括：

一多功能低温共烧陶瓷基板(3)，包括：

一高频功能层(32)，为共面波导结构，用于传输高频信号；以及

一直流功能层(31)，为微带线结构，用于传输直流信号，形成于所述高频功能层(32)之上，设有完全贯穿所述直流功能层(31)的N个卡槽结构(316₁～316_N)，其中N为自然数；

一背光探测器芯片阵列(2)，包括N个背光探测器芯片，所述N个背光探测器芯片固定于所述N个卡槽结构(316₁～316_N)中；以及

一激光器芯片阵列(1)，包括N个激光器芯片，所述N个激光器芯片固定于所述N个卡槽结构(316₁～316_N)中，与所述背光探测器芯片并排设置，且所述背光探测器芯片与所述激光器芯片间距不大于0.5mm；相对于出光方向，同一卡槽结构中的所述背光探测器芯片与所述激光器芯片的波导处于同一中心线，其中所述出光方向为背向所述背光探测器芯片阵列(2)的方向；

所述封装结构还包括3N个输入端口：

N个第一直流信号输入端口(P_A1～P_AN)，在俯视角度上，相对于所述激光器芯片阵列(1)设置于所述直流功能层(31)的两侧，以分别作为所述N个背光探测器芯片的正极的外连接口，用于将N个第一直流信号(S_A1～S_AN)分别输入至所述N个背光探测器芯片的正极，作为所述N个背光探测器芯片的直流输入信号；

N个第二直流信号输入端口(P_B1～P_BN)，在俯视角度上，相对于所述激光器芯片阵列(1)设置于所述直流功能层(31)的两侧，所述N个第二直流信号输入端口(P_B1～P_BN)中的一个第二直流信号输入端口与所述N个第一直流信号输入端口(P_A1～P_AN)中的一个第一直流信号输入端口对应相邻设置，所述N个第二直流信号输入端口(P_B1～P_BN)分别作为所述N个激光器芯片的正极的外连接口，用于将N个第二直流信号(S_B1～S_BN)分别输入至所述N个激光器芯片的正极，作为所述N个激光器芯片的直流输入信号；以及

N个高频信号输入端口(P_C1～P_CN)，在俯视角度上，设置于所述直流功能层(31)上相对于所述激光器芯片阵列(1)的对面侧，以分别作为所述N个激光器芯片的正极的外连接口，用于将N个高频信号(S_C1～S_CN)输入至所述N个激光器芯片的正极中，作为所述N个激光器芯片的调制信号。

2.根据权利要求1所述的基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述N个第一直流信号输入端口(P_A1～P_AN)与所述N个背光探测器芯片的正极之间，设有N条背光探测器芯片正极引线(311₁～311_N)，N条背光探测器芯片正极引线(311₁～311_N)位于所述直流功能层(31)上，用于将所述N个第一直流信号输入端口(P_A1～P_AN)的所述N个第一直流信号(S_A1～S_AN)传输至N个背光探测器芯片的正极。