[发明专利]闪存的制造方法、闪存储器及光罩掩膜版

摘要

本发明涉及闪存的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，在闪存的制造过程中，进行CRS工艺时，使用的光罩掩膜版，使进行CRS工艺后半导体衬底上的各场氧化层的第一部分区域内形成一凹槽，并凹槽上方用于在后续工艺中形成闪存的控制栅极，使半导体衬底上的各场氧化层的除第一部分区域之外的第二部分区域内不形成凹槽，以使控制栅极之间的场氧层不被刻蚀掉，后续栅间介质层生长就是平坦的,控制栅极的DEP也是平坦的，对于控制栅极的刻蚀更加容易，所以控制栅极间的均匀性也会更好，大大提高了闪存的性能。

主权项

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成场氧化层，由场氧化层隔离出多个有源区，其中各场氧化层的部分上表面高于半导体衬底的上表面，以形成场氧化层凸台；S2：形成隧穿氧化层，隧穿氧化层覆盖场氧化层凸台之间的部分；S3：在隧穿氧化层上形成第一层多晶硅栅极层；S4：进行平坦化工艺，并停止在第一层多晶硅栅极层上；S5：以一光罩为掩膜版进行光刻刻蚀工艺，在各场氧化层凸台的第一部分区域内形成一凹槽，并凹槽上方用于在后续工艺中形成闪存的控制栅极；S6：形成栅间介质层，栅间介质层覆盖露出的第一层多晶硅栅极层、场氧化层以及凹槽的底部和侧壁；以及S7：形成第二层多晶硅栅极层，第二层多晶硅栅极层覆盖栅间介质层，以使第一层多晶硅栅极层形成悬浮栅极，第二层多晶硅栅极层形成控制栅极。