[发明专利]闪存的制造方法、闪存储器及光罩掩膜版

权利要求书

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：

S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成场氧化层，由场氧化层隔离出多个有源区，其中各场氧化层的部分上表面高于半导体衬底的上表面，以形成场氧化层凸台；

S2：形成隧穿氧化层，隧穿氧化层覆盖场氧化层凸台之间的部分；

S3：在隧穿氧化层上形成第一层多晶硅栅极层；

S4：进行平坦化工艺，并停止在第一层多晶硅栅极层上；

S5：以一光罩为掩膜版进行光刻刻蚀工艺，在各场氧化层凸台的第一部分区域内形成一凹槽，在各场氧化层凸台的除第一部分区域之外的第二部分区域内不形成凹槽，并凹槽上方用于在后续工艺中形成闪存的控制栅极；

S6：形成栅间介质层，栅间介质层覆盖露出的第一层多晶硅栅极层、场氧化层以及凹槽的底部和侧壁；以及

S7：形成第二层多晶硅栅极层，第二层多晶硅栅极层覆盖栅间介质层，以使第一层多晶硅栅极层形成悬浮栅极，第二层多晶硅栅极层形成控制栅极。

2.根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，步骤S1中更包括步骤：利用有源区光罩对位于所述半导体衬底上的氧化层和氮化硅层以及所述半导体衬底进行浅沟道刻蚀以形成浅沟道隔离；对浅沟道底部和侧壁进行氧化以形成浅沟道氧化层；在浅沟道填充场氧化层介质并进行平坦化处理；以及去除位于所述半导体衬底上的氧化层和氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S2中所述隧穿氧化层覆盖露出的半导体衬底和场氧化层表面与半导体衬底表面平齐的场氧化层部分。

4.根据权利要求3所述的闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S2中采用化学气相沉积或物理气相沉积的方法形成所述隧穿氧化层。

5.根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的材料为低k材料。

6.根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S3中采用化学气相沉积或物理气相沉积的方法形成所述第一层多晶硅栅极层。

7.根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S4中采用化学机械研磨进行所述平坦化工艺。

8.根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，在所述光罩中对应各场氧化层凸台的区域包括图形区域和除所述图形区域之外的非图形区域。

9.根据权利要求8所述的闪存的制造方法，其特征在于，在光刻刻蚀工艺中，所述图形区域对应的所述场氧化层凸台上的光刻胶被打开，并在与所述图形区域对应的场氧化层凸台的第一部分区域被刻蚀而形成一凹槽，而所述非图形区域对应的场氧化层凸台上的光刻胶不被打开，与所述非图形区域对应的场氧化层凸台的第二部分区域不被刻蚀。

10.根据权利要求8所述的闪存的制造方法，其特征在于，在光刻刻蚀工艺中，所述图形区域对应的场氧化层凸台上的光刻胶不被打开，并在与所述图形区域对应的场氧化层凸台的第一部分区域被刻蚀而形成一凹槽，而所述非图形区域对应的场氧化层凸台上的光刻胶被打开，与所述非图形区域对应的场氧化层凸台的第二部分区域不被刻蚀。

11.根据权利要求8所述的闪存的制造方法，其特征在于，所述图形区域为十字形图形区域、长方形图形区域或正方形图形区域。

12.根据权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S6中所述栅间介质层为ONO层。