[发明专利]具有界面层的栅极结构和集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201910538003.3 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN111106065B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;吴俊毅;方子韦;赵皇麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种形成集成电路器件的方法的示例，其中，所述集成电路器件具有设置在沟道区和栅极介电质之间界面层。在一些示例中，所述方法包括接收具有衬底和鳍的工件，所述鳍具有设置在所述衬底上的沟道区。界面层形成在所述鳍的沟道区上，且栅极介电层形成在所述界面层上。第一覆盖层形成在所述栅极介电层上，且第二覆盖层形成在所述第一覆盖层上。在所述工件上执行退火工艺，所述退火工艺被配置为使第一材料从所述第一覆盖层扩散到所述栅极介电层中。可在制造工具的同一腔室中执行所述第一覆盖层和第二覆盖层的形成和退火工艺。本发明的实施例还提供了具有界面层的栅极结构和集成电路的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 界面 栅极 结构 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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