[发明专利]具有界面层的栅极结构和集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，包括：

接收具有衬底和设置在所述衬底上的鳍的工件，其中，所述鳍具有限定在其中的沟道区；

在所述鳍的沟道区上形成界面层；

在所述界面层上形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上形成第一覆盖层；

在所述第一覆盖层上形成第二覆盖层；以及

在所述工件上执行第一退火工艺，其中，所述工艺被配置为使第一材料从所述第一覆盖层扩散到所述栅极介电层中，

在所述第二覆盖层上形成第三覆盖层；以及

在所述工件上执行第二退火工艺，其中，所述第二退火工艺被配置为使氧扩散到所述界面层之外。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在制造工具的第一腔室中实施所述第一覆盖层的形成和所述第二覆盖层的形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述制造工具的第一腔室中执行所述第一退火工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一退火工艺被配置为使氧扩散到所述界面层之外。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一退火工艺包括将所述工件加热至600℃至800℃之间的温度，以在NH₃周围环境中浸泡10秒到60秒之间，同时在850℃至950℃的温度下进行尖峰退火。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三覆盖层的厚度在20埃到50埃之间，并比所述第二覆盖层厚。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二覆盖层的厚度与所述第三覆盖层的厚度相同。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三覆盖层具有与所述第二覆盖层相同的组成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二覆盖层包括由以下材料所组成的组中的材料：非晶硅和铝。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一覆盖层包括金属氮化物，并且所述第一材料包括氮。

11.一种制造集成电路的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

衬底；

半导体鳍，设置在所述衬底上；以及

一对介电部件，设置在所述半导体鳍上，使得栅极沟槽在所述一对介电部件之间延伸；

在所述栅极沟槽内的所述衬底上形成界面层；

在所述栅极沟槽内的所述界面层上形成高k栅极介电质；

在所述栅极沟槽内的所述高k栅极介电质上形成第一覆盖层；

在所述栅极沟槽内的所述第一覆盖层上形成第二覆盖层；

在所述工件上执行第一退火工艺，其中，所述第一退火工艺被配置为从所述界面层获取氧；

在所述栅极沟槽内的所述第二覆盖层上形成第三覆盖层；以及

在所述工件上执行第二退火工艺，其中，所述第二退火工艺被配置为从所述界面层获取氧。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在制造工具的单个腔室中实施形成所述第一覆盖层、形成所述第二覆盖层和执行所述第一退火工艺。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一覆盖层包括金属氮化物，且所述第一退火工艺还被配置为使氮从所述第一覆盖层扩散到所述高k栅极介电质中。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二覆盖层包括来自以下材料所组成的组中的材料：硅和铝。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第三覆盖层包括铝和/或铝化合物。