[发明专利]一种晶圆上曝光区域的排布方法有效
| 申请号： | 201910529996.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110187611B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赖璐璐 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆上曝光区域的排布方法，包括：提供曝光区域信息以及影响曝光区域排布的光刻机曝光信息；根据曝光区域信息以及光刻机曝光信息设定曝光区域规则，使有效Die最大化；利用曝光区域信息、光刻机曝光信息以及曝光区域规则，计算得到最优的网格移位和晶圆边缘非聚焦区域的值，使晶圆边缘的有效Die被覆盖。本发明提供的智能化设定晶圆上曝光区域排布的方法，可以综合考虑到激光标记的尺寸、有效die最大化、平整度传感器的排布这三种情况，提前计算得到最优的曝光区域排布，在保证有效die最大化的同时，提前避免晶圆边缘离焦问题，适用于先进技术节点光刻的发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆上 曝光 区域 排布 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供曝光区域信息以及影响曝光区域排布的光刻机曝光信息；步骤二、根据步骤一中的所述曝光区域信息以及光刻机曝光信息设定曝光区域规则，使有效Die最大化；步骤三、利用步骤一中的所述曝光区域信息、光刻机曝光信息以及步骤二中得到的所述曝光区域规则，计算得到最优的网格移位和晶圆边缘非聚焦区域的值，使晶圆边缘的有效Die被覆盖。
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