[发明专利]一种晶圆上曝光区域的排布方法有效
| 申请号： | 201910529996.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110187611B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赖璐璐 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆上 曝光 区域 排布 方法 | ||
1.一种晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供曝光区域信息以及影响曝光区域排布的光刻机曝光信息；所述曝光区域信息包括：单元尺寸、曝光区域尺寸以及一个曝光区域内Die的排列个数；所述光刻机曝光信息包括：光刻机的激光标记尺寸、光刻机的平整度传感器的排布；
步骤二、根据步骤一中的所述曝光区域信息以及光刻机曝光信息设定曝光区域规则，使有效Die最大化；
步骤三、利用步骤一中的所述曝光区域信息、光刻机曝光信息以及步骤二中得到的所述曝光区域规则，计算得到最优的网格移位和晶圆边缘非聚焦区域的值，使晶圆边缘的有效Die被覆盖，所述晶圆边缘的有效Die被覆盖指的是所述晶圆边缘的有效Die被所述平整度传感器所覆盖。
2.根据权利要求1所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：步骤三中计算得到最优的所述网格移位和所述晶圆边缘非聚焦区域的值的方法采用的是迭代法。
3.根据权利要求1所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：所述一个曝光区域内Die的排列个数为8个。
4.根据权利要求3所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：一个所述Die的宽度为3.15mm。
5.根据权利要求4所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：所述光刻机的平整度传感器的排布为水平依次排布9个。
6.根据权利要求5所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：所述每个平整度传感器的宽度为2.8mm。
7.根据权利要求5所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：一个所述曝光区域内所述8个Die为水平排布，并且水平排布的9个所述平整度传感器的总排布长度大于所述8个Die的水平排布的总排布长度。
8.根据权利要求7所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：所述Die之间的Pitch值为3.23mm。
9.根据权利要求8所述的晶圆上曝光区域的排布方法，其特征在于：所述光刻机的平整度传感器之间的Pitch值为3.4mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910529996.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种激光直写光刻系统
- 下一篇：处理系统
