[发明专利]一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法在审
| 申请号： | 201910529839.7 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110128131A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘连;王文涛;霍堡垒;田正健;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法，其操作主要是：在镝钡铜氧的前驱溶液中掺入微量钴离子；将掺入微量钴离子的前驱溶液溶液涂覆于基片，热分解后形成镝钡铜氧非晶前驱膜；该非晶前驱膜在740‑750℃、55‑65分钟的条件下，或者800‑805℃、10‑30分钟的条件下，完成外延生长成相；最后通过低温氧气退火处理形成具有正交晶体结构的镝钡铜氧超导膜。获得的镝钡铜氧超导膜具有优异的织构、平整致密的微结构和高临界电流密度。该方法的外延生长成相的温度低或时间短，其制备成本低、制备效率高，有利于镝钡铜氧超导材料的批量化生产和规模化应用。且其制得的镝钡铜氧超导膜具有优异的织构、平整致密的微结构和高临界电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 镝钡铜氧 超导膜 外延生长 致密 前驱溶液 前驱膜 微结构 微量钴 掺入 非晶 织构 制备 离子 平整 正交晶体结构 超导材料 低温氧气 退火处理 规模化 批量化 热分解 涂覆 应用 生产 | ||
【主权项】：
1.一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法，其步骤是：a、前驱溶液制备：将乙酸镝或乙酰丙酮镝、乙酸钡或乙酰丙酮钡、乙酸铜或乙酰丙酮铜和乙酸钴或乙酰丙酮钴，按镝:钡:铜：钴的化学计量比1:2:3‑X:X，0.0008≤X≤0.05的比例,溶解于丙酸中，得前驱溶液；b、涂敷及干燥：将a步的前驱溶液涂敷于基片上，干燥后在基片上形成薄膜；c、非晶前驱膜的制备：将b步的带薄膜的基片进行分解热处理得到非晶前驱膜；d、外延生长成相：将非晶前驱膜在740‑750℃，干燥的氩氧混合气氛中外延生长成相55‑65分钟得到织构的镝钡铜氧相薄膜；或者，将非晶前驱膜在800‑805℃，干燥的氩氧混合气氛中外延生长成相10‑30分钟，得到织构的镝钡铜氧相薄膜；e、退火处理：将d步的织构的镝钡铜氧相在氧气氛中进行退火处理，得到具有正交晶体结构的镝钡铜氧超导膜。
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