[发明专利]一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法

权利要求书

1.一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法，其步骤是：

a、前驱溶液制备：将乙酸镝或乙酰丙酮镝、乙酸钡或乙酰丙酮钡、乙酸铜或乙酰丙酮铜和乙酸钴或乙酰丙酮钴，按镝:钡:铜：钴的化学计量比1:2:3-X:X，0.0008≤X≤0.05的比例,溶解于丙酸中，得前驱溶液；

b、涂敷及干燥：将a步的前驱溶液涂敷于基片上，干燥后在基片上形成薄膜；

c、非晶前驱膜的制备：将b步的带薄膜的基片进行分解热处理得到非晶前驱膜；

d、外延生长成相：

将非晶前驱膜在740-750℃，干燥的氩氧混合气氛中外延生长成相55-65分钟得到织构的镝钡铜氧相薄膜；

或者，将非晶前驱膜在800-805℃，干燥的氩氧混合气氛中外延生长成相10-30分钟，得到织构的镝钡铜氧相薄膜；

e、退火处理：将d步的织构的镝钡铜氧相在氧气氛中进行退火处理，得到具有正交晶体结构的镝钡铜氧超导膜。

2.如权利要求1所述的一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法，其特征在于：所述的c步的热分解处理的具体操作是：将带薄膜的基片置于管式炉中，在氩气气氛保护下，以1-5℃/min从室温升至100-150℃；然后向炉中通入露点为10-20℃的水蒸汽，同时通入氩气形成潮湿的氩气保护气氛，以0.25-1.5℃/min升温至450-500℃，保温0.5-2小时；随后再在干燥的氩气气氛中，自然冷却至室温。

3.如权利要求1所述的一种促进镝钡铜氧超导膜外延生长的方法，其特征在于：所述的e步的退火处理的具体方法是：将织构的镝钡铜氧相薄膜，在350-500℃干燥的氧气气氛中保温1-5小时，然后冷却至室温。