[发明专利]一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201910527624.1 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110265872A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平;韩春霞;林新茗 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李欧 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，GaAs衬底底部蚀刻出出光孔，GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，外延结构包括N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层，欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和AlGaAs被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面，欧姆接触层与出光孔位置相对应，欧姆接触层上生长有ODR层，ODR层上蒸镀有镜面层，台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，SiNx层上包覆有P‑contact层，P‑contact层填充接触孔。本发明的VCSEL芯片的结构设计不影响光致发光测试，提高了测试效率，减少了后续废品率，减少了原材料的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触层 衬底 蚀刻 出光孔 镜面层 底部发射型 外延结构 量子阱 台面 蒸镀 填充接触孔 测试效率 光致发光 激光芯片 接触孔 上表面 氧化层 包覆 光孔 制造 外围 测试 生长 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，所述GaAs衬底底部蚀刻有出光孔，所述GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，所述外延结构包括由下至上依次沉积的N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层，所述欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和氧化层被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面，所述欧姆接触层与出光孔位置相对应，且所述欧姆接触层的大小尺寸与出光孔的相同，所述欧姆接触层上生长有ODR层，所述ODR层上蒸镀有镜面层，所述台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，所述SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，所述SiNx层上包覆有P‑contact层，所述P‑contact层填充所述接触孔。
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