[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910525695.8 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110233102B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林源为;王春 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，其包括：测试步骤，对测试晶片进行刻蚀，以形成侧壁具有预设扇贝尺寸的沟槽；比较步骤，对沟槽侧壁的深度方向上的不同位置处的扇贝尺寸进行比较；调试步骤，对待刻蚀晶片进行刻蚀，且在刻蚀过程中根据比较步骤中获得的比较结果调试待刻蚀晶片的工艺配方，以使修正待刻蚀晶片上沟槽的刻蚀形貌。本发明提供的刻蚀方法，利用扇贝尺寸所蕴含的沉积与刻蚀之间平衡的信息，为修正刻蚀形貌提供参考，同时减少刻蚀后的侧壁沉积物残留。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：测试步骤，对测试晶片进行刻蚀，以形成侧壁具有预设扇贝尺寸的沟槽；比较步骤，对所述沟槽侧壁的深度方向上的不同位置处的扇贝尺寸进行比较；调试步骤，对待刻蚀晶片进行刻蚀，且在刻蚀过程中根据所述比较步骤中获得的比较结果调试所述待刻蚀晶片的工艺配方，以修正所述待刻蚀晶片上沟槽的刻蚀形貌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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