[发明专利]刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

测试步骤，对测试晶片进行刻蚀，以形成侧壁具有用于放大沉积与刻蚀之间的差异的预设扇贝尺寸的沟槽；

比较步骤，对所述沟槽侧壁的深度方向上的不同位置处的扇贝尺寸进行比较；

调试步骤，对待刻蚀晶片进行刻蚀，且在刻蚀过程中根据所述比较步骤中获得的比较结果调试所述待刻蚀晶片的工艺配方，以修正所述待刻蚀晶片上沟槽的刻蚀形貌，使不同位置处的扇贝尺寸趋于一致。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述测试步骤具体包括：

S11，对所述测试晶片进行沉积，以在所述沟槽侧壁上形成保护层；

S12，对所述沟槽刻蚀预设深度；

S13，判断交替循环进行所述步骤S11和所述步骤S12的当前循环数是否等于总循环数，若是，则进行所述比较步骤；若否，则使所述当前循环数加1，并返回所述步骤S11；

其中，通过调节所述步骤S11和所述步骤S12各自的工艺时间，和所述总循环数，来使获得的所述沟槽侧壁上的扇贝尺寸达到所述预设扇贝尺寸。

3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，通过增大或减少所述步骤S11和所述步骤S12各自的工艺时间，及减少或增大所述总循环数，来使获得的所述沟槽侧壁上的扇贝尺寸达到所述预设扇贝尺寸。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述预设扇贝尺寸的取值范围在40nm-300nm。

5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述预设扇贝尺寸为150nm。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述比较步骤中，所述沟槽侧壁的深度方向上的不同位置为两个位置，分别为所述沟槽的侧壁顶部和侧壁底部；或者，所述沟槽侧壁的深度方向上的不同位置为三个位置，分别为所述沟槽的侧壁顶部、侧壁中部和侧壁底部。

7.根据权利要求1或6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述调试步骤具体包括第一调试过程和第二调试过程，其中，若所述沟槽侧壁上不同位置处的扇贝尺寸由上而下逐渐减小，则进行所述第一调试过程；若所述沟槽侧壁上不同位置处的扇贝尺寸由上而下逐渐增大，则进行所述第二调试过程；

所述第一调试过程包括以下步骤：

S31，对待刻蚀晶片进行沉积，以在沟槽侧壁上形成保护层；

S32，对所述沟槽刻蚀预设深度；

S33，判断交替循环进行所述步骤S31和所述步骤S32的当前循环数是否等于总循环数，若是，则流程结束；若否，则使所述当前循环数加1，并进行步骤S34；

S34，在所述步骤S31中通入反应腔室中的气体包含有调试气体，则使所述调试气体的当前流量值增加预设的流量调整值，和/或使下电极功率值增加预设的功率调整值；返回所述步骤S31；

所述第二调试过程包括以下步骤：

S41，对待刻蚀晶片进行沉积，以在沟槽侧壁上形成保护层；

S42，对所述沟槽刻蚀预设深度；

S43，判断交替循环进行所述步骤S41和所述步骤S42的当前循环数是否等于总循环数，若是，则流程结束；若否，则使所述当前循环数加1，并进行步骤S44；

S44，在所述步骤S41中通入反应腔室中的气体包含有调试气体，则使所述调试气体的当前流量值减小预设的流量调整值，和/或使所述下电极功率值减小预设的功率调整值；返回所述步骤S41。

8.根据权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，所述调试气体的调整后流量值满足下述公式：

其中，F为调整后流量值；F_final为终末流量值；F_initial为起始流量值，且在所述第一调试过程中，F_final≥F_initial；在所述第二调试过程中，F_final≤F_initial；n为所述当前循环数；n_total为所述总循环数。