[发明专利]热处理装置有效
| 申请号： | 201910525096.6 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN110634765B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 小野行雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无论基座上是否保持有衬底，均能准确地测定基座的温度的热处理装置。在进行作为处理对象的半导体晶圆的热处理前，将虚设晶圆(DW)载置于石英制的基座(74)，从卤素灯(HL)进行光照射而将基座(74)预热。控制部基于通过放射温度计(130)测得的基座(74)的温度，控制卤素灯(HL)的输出。放射温度计(130)接收波长比4μm长的波长的红外光而测定基座(74)的温度。在比4μm长的波长区域石英会变得不透明，因此无论基座(74)上是否保持有晶圆，放射温度计(130)均能仅接收从基座(74)放射的红外光而准确地测定基座(74)的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，其特征在于，通过对衬底照射光而将该衬底加热，且具备：/n腔室，收容衬底；/n石英制的基座，将所述衬底载置并保持于所述腔室内；/n光照射部，对保持于所述基座的所述衬底照射光；及/n第1放射温度计，测定所述基座的温度；且/n所述第1放射温度计接收波长比4μm长的红外光而测定所述基座的温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
