[发明专利]一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置及方法有效
申请号: | 201910519471.6 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110335844B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 黄永安;杨彪;卞敬;尹周平;陈建魁 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48;H01L25/075;H01F13/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 张彩锦;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于巨量转移技术领域,并具体公开了一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置及方法,其包括基板及设置在基板上表面的磁性方块阵列,磁性方块阵列中每一磁性方块均具有磁性且上下表面为异名磁极,并且各磁性方块能够在外部加热的作用下失去磁性,转移操作时磁性方块阵列与待转移的具有磁性的MicroLED阵列一一对应,利用磁性方块阵列先整体拾取MicroLED阵列,再选择性的加热磁性方块使其失去磁性以将MicroLED选择性的转移至具有磁性的目标电路基板上。本发明可实现MicroLED的图案化、选择性巨量转移,具有操作方便,适用性强,定位精确等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 选择性 加热 microled 巨量 转移 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置,其特征在于,该装置包括基板(11)及设置在该基板(11)上表面的磁性方块阵列(12),所述磁性方块阵列(12)中的每一磁性方块均具有磁性且其上下表面为异名磁极,并且各磁性方块能够在外部加热的作用下失去磁性,该巨量转移装置执行转移动作时所述磁性方块阵列(12)与待转移的具有磁性的MicroLED阵列一一对应,利用该磁性方块阵列(12)先整体拾取MicroLED阵列,再选择性的加热磁性方块使其失去磁性以将MicroLED选择性的转移至具有磁性的目标电路基板上,以此实现基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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