[发明专利]一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置及方法有效

专利信息
申请号: 201910519471.6 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN110335844B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 黄永安;杨彪;卞敬;尹周平;陈建魁 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48;H01L25/075;H01F13/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 张彩锦;曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于巨量转移技术领域,并具体公开了一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置及方法,其包括基板及设置在基板上表面的磁性方块阵列,磁性方块阵列中每一磁性方块均具有磁性且上下表面为异名磁极,并且各磁性方块能够在外部加热的作用下失去磁性,转移操作时磁性方块阵列与待转移的具有磁性的MicroLED阵列一一对应,利用磁性方块阵列先整体拾取MicroLED阵列,再选择性的加热磁性方块使其失去磁性以将MicroLED选择性的转移至具有磁性的目标电路基板上。本发明可实现MicroLED的图案化、选择性巨量转移,具有操作方便,适用性强,定位精确等优点。
搜索关键词: 一种 基于 选择性 加热 microled 巨量 转移 装置 方法
【主权项】:
1.一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置,其特征在于,该装置包括基板(11)及设置在该基板(11)上表面的磁性方块阵列(12),所述磁性方块阵列(12)中的每一磁性方块均具有磁性且其上下表面为异名磁极,并且各磁性方块能够在外部加热的作用下失去磁性,该巨量转移装置执行转移动作时所述磁性方块阵列(12)与待转移的具有磁性的MicroLED阵列一一对应,利用该磁性方块阵列(12)先整体拾取MicroLED阵列,再选择性的加热磁性方块使其失去磁性以将MicroLED选择性的转移至具有磁性的目标电路基板上,以此实现基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移。
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