[发明专利]一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置及方法

权利要求书

1.一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置，其特征在于，该装置包括基板(11)及设置在该基板(11)上表面的磁性方块阵列(12)，所述磁性方块阵列(12)中的每一磁性方块均具有磁性且其上下表面为异名磁极，并且各磁性方块能够在外部加热的作用下失去磁性，该巨量转移装置执行转移动作时所述磁性方块阵列(12)与待转移的具有磁性的MicroLED阵列一一对应，利用该磁性方块阵列(12)先整体拾取MicroLED阵列，再选择性的加热磁性方块使其失去磁性以将MicroLED选择性的转移至具有磁性的目标电路基板上，以此实现基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移。

2.如权利要求1所述的基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置，其特征在于，所述磁性方块阵列(12)采用如下方式制备：在所述基板(11)上蒸镀或者溅射一层磁性材料，然后通过激光切割或者刻蚀将其阵列化，最后放入磁场中磁化以此在基板(11)上制备获得所述磁性方块阵列(12)。

3.如权利要求1或2所述的基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置，其特征在于，采用如下方式实现磁性方块的选择性加热使其失去磁性：选择性的对目标电路基板的电极通电以点亮其上对应的MicroLED，MicroLED点亮后产生热效应以对其上对应的磁性方块加热，进而使对应的磁性方块的磁性消失。

4.如权利要求3所述的基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置，其特征在于，采用驱动电路控制单元实现目标电路基板电极的选择性通电，该驱动电路控制单元包括上位机(63)、下位机(64)、行驱动(65)和列驱动(66)，其中所述下位机(64)与上位机(63)实现通信，所述行驱动(65)和列驱动(66)均与所述下位机(64)和目标电路基板电极相连，该下位机(64)根据上位机(63)的指令控制对应行驱动(65)和列驱动(66)导通，以使得对应目标电路基板电极通电。

5.一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1 将待转移的MicroLED阵列从基底(20)上转移至制备有胶层(41)的中间透明载体基板(40)上，使MicroLED的电极与胶层(41)粘接；

S2 将如权利要求1-4任一项所述的装置按压在已转移至中间透明载体基板(40)的MicroLED阵列上，并使装置的磁性方块阵列(12)与中间透明载体基板上的MicroLED阵列一一对应，然后利用紫外光照射中间透明载体基板(40)上的胶层(41)使其粘性降低，MicroLED阵列中的各MicroLED在对应磁性方块的作用下被捕获，以此实现MicroLED的整体拾取；

S3 将拾取MicroLED后的装置按压在具有磁性的目标电路基板(60)上，并使装置上的MicroLED阵列与目标电路基板上的电极阵列一一对应，选择性的加热磁性方块阵列(12)中的磁性方块使其失去磁性，失去磁性的磁性方块上的MicroLED则被目标电路基板(60)上对应的电极捕获，以此方式完成基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移。

6.如权利要求5所述的基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移方法，其特征在于，步骤S1包括如下子步骤：

S11 在基底(20)上制备具有磁性的MicroLED阵列；

S12 将MicroLED阵列按压在中间透明载体基板(40)的胶层(41)上，使各MicroLED的电极与胶层(41)粘接；

S13 在MicroLED阵列与基底(20)的界面处照射紫外激光(50)，使得MicroLED阵列与基底(20)分离，以此将MicroLED阵列整体转移至中间透明载体基板(40)上。

7.如权利要求5或6所述的基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移方法，其特征在于，步骤S3中，选择性加热磁性方块阵列(12)中的磁性方块使其失去磁性采用如下方式实现：选择性的对目标电路基板的电极通电以点亮其上对应的MicroLED，MicroLED点亮后产生热效应以对其上对应的磁性方块加热，进而使对应的磁性方块的磁性消失。