[发明专利]电力电子装置

摘要

提出一种电力电子装置（1），包括：半导体开关结构（2），其中半导体开关结构（2）在正向导通状态下的稳态电流承载能力被表征为标称电流（Inom），并且其中在正向导通状态下在正向电流模式下传导正向电流（I1）的至少一部分；二极管结构（3），被反并联地电连接于半导体开关结构（2），在电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流的至少一部分；以及反向导通结构（4）。在电力电子装置（1）的反向模式下，如果反向电流（I2）的量等于或者小于第一临界反向电流值（IRC1），则反向导通结构（4）传导少于10%的反向电流（I2）。如果反向电流（I2）的量等于或者大于第二临界反向电流值（IRC2），则反向导通结构（4）传导至少20%的反向电流（I2）。

主权项

1.一种电力电子装置（1），被配置用于在所述电力电子装置（1）的正向模式下传导正向电流（I1）并且用于在所述电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流（I2），所述电力电子装置（1）包括：/n- 半导体开关结构（2），其被配置用于承担正向导通状态，其中在正向导通状态下所述半导体开关结构（2）的稳态电流承载能力被表征为标称电流（Inom），并且其中在正向导通状态下所述半导体开关结构（2）被配置用于在所述电力电子装置（1）的正向电流模式下传导正向电流（I1）的至少一部分；/n- 二极管结构（3），其被反并联地电连接于所述半导体开关结构（2）并且被配置用于在所述电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流（I2）的至少一部分；以及/n- 反向导通结构（4），其与所述半导体开关结构（2）单片地集成；/n其中，在所述电力电子装置（1）的反向模式下，如果反向电流（I2）的量小于或者等于第一临界反向电流值（IRC1），则所述反向导通结构（4）传导少于10%的反向电流（I2），所述第一临界反向电流值（IRC1）至少接近于标称电流（Inom），以及/n其中如果反向电流（I2）的量大于或者等于第二临界反向电流值（IRC2），则所述反向导通结构（4）传导至少20%的反向电流（I2），所述第二临界反向电流值（IRC2）接近于至多十倍的标称电流（Inom）。/n