[发明专利]存储器单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201910510900.3 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086556A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 林大钧;蔡滨祥;洪雅娟;杨晋嘉;简廷安 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器单元及其形成方法，其中该存储器单元包含一第一导电线、一底电极、一纳米碳管层、一中间电极、一电阻层、一顶电极以及一第二导电线。第一导电线设置于一基底上。底电极设置于第一导电线上。纳米碳管层设置于底电极上。中间电极设置于纳米碳管层上，因而底电极、纳米碳管层以及中间电极构成一纳米管存储器部分。电阻层设置于中间电极上。顶电极设置于电阻层上，因而中间电极、电阻层以及顶电极构成一电阻存储器部分。第二导电线设置于顶电极上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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