[发明专利]存储器单元及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器单元，其特征在于，包含：

第一导电线，设置于基底上；

底电极，设置于该第一导电线上；

纳米碳管层，设置于该底电极上；

中间电极，设置于该纳米碳管层上，因而该底电极、该纳米碳管层以及该中间电极构成纳米管存储器部分；

电阻层，设置于该中间电极上；

顶电极，设置于该电阻层上，因而该中间电极、该电阻层以及该顶电极构成电阻存储器部分；以及

第二导电线，设置于该顶电极上。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其中该第一导电线以及该第二导电线包含金属导线。

3.如权利要求1所述的存储器单元，其中该底电极、该中间电极以及该顶电极包含氮化钛。

4.如权利要求1所述的存储器单元，其中该第一导电线、该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层、该顶电极以及该第二导电线堆叠设置。

5.如权利要求1所述的存储器单元，其中该纳米碳管层包含堆叠的材料层。

6.如权利要求1所述的存储器单元，其中该电阻层包含堆叠的电阻层。

7.如权利要求6所述的存储器单元，其中该电阻层包含由下而上堆叠的氧化钽(TaO_x)层以及五氧化二钽(Ta₂O₅)层。

8.如权利要求1所述的存储器单元，还包含：

第一介电层，设置于该基底上，以及该第一导电线设置于该第一介电层中，其中该第一导电线电连接该底电极。

9.如权利要求8所述的存储器单元，还包含：

盖层，顺应覆盖于该第一介电层上以及该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层以及该顶电极的侧壁。

10.如权利要求8所述的存储器单元，还包含：

第二介电层，设置于该第一介电层上，且该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层、该顶电极以及该第二导电线都位于该第二介电层中。

11.一种形成存储器单元的方法，包含：

形成第一导电线于基底上；

依序由下而上形成底电极层、毯覆式纳米碳管层、中间电极层、毯覆式电阻层以及顶电极层于该第一导电线上；以及

图案化该顶电极层、该毯覆式电阻层、该中间电极层、该毯覆式纳米碳管层以及该底电极层，以形成由下而上堆叠的底电极、纳米碳管层、中间电极、电阻层以及顶电极，因而该底电极、该纳米碳管层以及该中间电极构成纳米管存储器部分，以及该中间电极、该电阻层以及该顶电极构成电阻存储器部分。

12.如权利要求11所述的形成存储器单元的方法，还包含：

形成第一介电层于该基底上，其中该第一介电层具有凹槽；以及

形成该第一导电线于该凹槽中。

13.如权利要求12所述的形成存储器单元的方法，在形成由下而上堆叠的该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层以及该顶电极之后，还包含：

形成盖层顺应覆盖于该第一介电层上以及该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层以及该顶电极的侧壁。

14.如权利要求12所述的形成存储器单元的方法，在形成由下而上堆叠的该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层以及该顶电极之后，还包含：

沉积第二介电层全面覆盖该第一介电层，该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层以及该顶电极。