[发明专利]一种基于非对称范德华异质结构的场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910504725.7 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110224022A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 程庆苏;吉娜;渠开放;李桂华;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/739;H01L29/788;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，包括Si/SiO2基底，Si/SiO2基底上表面设有浮栅，所述浮栅上表面一侧设有栅极，另一侧设有二维材料制备的介电层，所述介电层上表面设有二维材料二硫化钼层，所述二硫化钼上表面一侧设有源极，另一侧设有二维材料二碲化钼层，所述二碲化钼上表面设有漏极；一种上述场效应管的制备方法，将浮栅层、介电层、MoS2和MoTe2逐层转移到基底上，再沉积金属电极。本发明所述场效应管显示较高的电流开关比和整流比。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 上表面 二维材料 介电层 制备 异质结构 非对称 浮栅 基底 碲化 电流开关比 二硫化钼层 基底上表面 二硫化钼 金属电极 层转移 浮栅层 再沉积 漏极 源极 钼层 | ||
【主权项】：
1.一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，包括Si/SiO2基底，其特征在于，所述Si/SiO2基底上表面设有浮栅，所述浮栅上表面一侧设有栅极，另一侧设有二维材料制备的介电层，所述介电层上表面设有二维材料二硫化钼层，所述二硫化钼上表面一侧设有源极，另一侧设有二维材料二碲化钼层，所述二碲化钼上表面设有漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910504725.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种肖特基二极管及其制备方法
- 下一篇：薄膜晶体管基板和包括其的显示装置
- 同类专利
- 专利分类
