[发明专利]一种基于非对称范德华异质结构的场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910504725.7 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110224022A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 程庆苏;吉娜;渠开放;李桂华;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/739;H01L29/788;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应管 上表面 二维材料 介电层 制备 异质结构 非对称 浮栅 基底 碲化 电流开关比 二硫化钼层 基底上表面 二硫化钼 金属电极 层转移 浮栅层 再沉积 漏极 源极 钼层 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，包括Si/SiO2基底，其特征在于，所述Si/SiO2基底上表面设有浮栅，所述浮栅上表面一侧设有栅极，另一侧设有二维材料制备的介电层，所述介电层上表面设有二维材料二硫化钼层，所述二硫化钼上表面一侧设有源极，另一侧设有二维材料二碲化钼层，所述二碲化钼上表面设有漏极。
2.根据权利要求1所述的一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，其特征在于，所述介电层为二维材料h-BN。
3.根据权利要求1所述的一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，其特征在于，所述浮栅为二维材料石墨烯材质。
4.根据权利要求1所述的一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，其特征在于，所述二硫化钼为单层，所述二碲化钼为双层。
5.一种权利要求1-4所述的基于非对称范德华异质结构的场效应管的制备方法，其特征在于，首先，将石墨烯薄片从块状材料中机械剥离并转移到Si/SiO2基底上；然后，将h-BN、MoS2和MoTe2依次转移到底层石墨烯层，从而制备三层异质二维结构的场效应管的沟道；最后，通过标准电子束光刻技术和金属沉积法，分别在石墨烯薄片、MoS2和MoTe2薄片上制备栅极、源极和漏极的金属电极Gr。
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