[发明专利]氮化物晶体基板及其制造方法

摘要

本申请提供氮化物晶体基板及其制造方法。所述氮化物晶体基板由III族氮化物的晶体形成，且包含n型杂质，将波长设为λ(μm)、将27℃下的吸收系数设为α(cm‑1)、将载流子浓度设为Ne(cm‑3)、将K和a分别设为常数时，利用α＝NeKλa···(1)(其中，1.5×10‑19≤K≤6.0×10‑19、a＝3)对至少1μm以上且3.3μm以下的波长范围的吸收系数α进行近似，在波长2μm下，实测的吸收系数相对于由式(1)求出的吸收系数α的误差为±0.1α以内，利用红外光照射而测定的反射光谱在1200cm‑1以上且1500cm‑1以下的波数范围内不含具有峰顶的峰。

主权项

1.一种氮化物晶体基板，其由III族氮化物的晶体形成，且包含n型杂质，/n将波长设为λ(μm)、将27℃下的所述氮化物晶体基板的吸收系数设为α(cm