[发明专利]氮化物晶体基板及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物晶体基板的制造方法，其包含如下工序：

准备氮化物晶体基板的准备工序，所述氮化物晶体基板由III族氮化物的晶体形成，且包含n型杂质，

将波长设为λμm、将27℃下的所述氮化物晶体基板的吸收系数设为αcm^-1、将所述氮化物晶体基板中的载流子浓度设为N_e cm^-3、将K和a分别设为常数时，通过最小二乘法利用式(1)对至少1μm以上且3.3μm以下的波长范围内的所述吸收系数α进行近似，

α＝N_eKλ^a···(1)

其中，1.5×10^-19≤K≤6.0×10^-19、a＝3，

在波长2μm下，实测的所述吸收系数相对于由式(1)求出的所述吸收系数α的误差为±0.1α以内；以及，

检查工序，通过对所述氮化物晶体基板照射红外光而测定反射光谱，并调查该反射光谱在1200cm^-1以上且1500cm^-1以下的波数范围内是否包含具有峰顶的峰。

2.根据权利要求1所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，

在所述检查工序中，对所述氮化物晶体基板的主面内的多个位置分别测定所述反射光谱，求出被检测的所述峰的峰顶的强度反射率与该反射光谱的基线的强度反射率之差即峰高度，将对该多个位置分别求出的该峰高度彼此进行比较。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物晶体基板的制造方法，其中，

在所述检查工序中，基于被检测的所述峰的峰顶的强度反射率与该反射光谱的基线的强度反射率之差即峰高度，推定所述氮化物晶体基板的点缺陷密度。