[发明专利]半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结柔性器件的构筑方法

摘要

本发明涉及一种表面光伏性能良好的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性器件的构筑方法，通过柔性衬底机械剥离化学气相沉积法制备的单层石墨烯的方法，并在石墨烯上修饰半导体量子点，控制器件退火温度和时间，优化半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触，成功构筑了表面光伏响应性能理想的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性表面光伏器件，可用于相对位置探测或光电探测。

主权项

1.一种表面光伏性能良好的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性器件的构筑方法，其特征在于，通过柔性衬底机械剥离化学气相沉积法制备的单层石墨烯的方法，并在石墨烯上修饰半导体量子点，控制器件退火温度和时间，优化半导体量子点与石墨烯之间的范德瓦尔斯接触，成功构筑了表面光伏响应性能理想的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性表面光伏器件，包括如下步骤：1）将通过化学气相沉积法制备的单层石墨烯样品湿法转移到特种纸上，置于热板上30~60℃ 烘60~120s, 得到衬底为特种纸的单层石墨烯样品；2）将压敏胶带贴在步骤1）的单层石墨烯薄膜上，并给压敏胶带施加适当压力，使得压敏胶带与其所覆盖的石墨烯结合牢固；3）将步骤2）中与石墨烯牢固结合的压敏胶带从特种纸上揭下，即得到在柔性衬底上的单层石墨烯样品；4）将用溶液法制备的半导体量子点做超声分散处理后滴加在步骤3）中所得样品，再将所得柔性衬底上的半导体量子点/石墨烯杂化薄膜放入烘箱，真空条件下40~70℃退火1~2小时得到所需产物。